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Gated Clock-Theoretical Analysis

Gated Clock-Theoretical Analysis

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Gated Clock - Theoretical Analysis

July 5, 2010 

Basic requirements for gating:

1.  The required edge (positive edge for registers triggered by positive edges, negative edge for registers triggered by negative edges) does not increase and does not decrease;

1. Does  not produce burrs;

1.  Power consumption should be reduced after use;

1. The  best area will be reduced.

 

1.  Research on the structure of the gate clock triggered by the rising edge: application and gate control of the register triggered by the rising edge.

1.  Direct AND gate structure:

xb 

1.  High level enable Latch +  AND gate structure:

xb

 

1.  Low level enable Latch +  AND gate structure:

 xb

1.  Waveform research: It can be seen from the following waveforms:

1.  If the rising edge of the En signal is between the rising and falling edges of the clock, both structure 1 and structure 2 will generate an additional clock edge; see Error in the waveform .

1.  If the falling edge of En is between the falling edge and the rising edge of the clock, it is easy to generate a glitch;

1. 结构3是符合我们需要的,上升沿没有丢失或减少。所以DC在正沿触发的寄存器前插入的都是这类CG

xb

  

1. 下降沿触发的门控时钟的结构研究:应用与下降沿触发的寄存器的门控。

1. 或门结构:

 xb

1. 低电平使能Latch + 与门结构:

xb 

1. 高电平使能Latch + 与门结构:

 xb

1. 波形研究:从下面的波形可以看出:

1. 如果En信号的上升沿在时钟的下降沿和上升沿之间的话,则结构1与结构2都会多产生一个时钟沿;见波形中的Error

1. 如果En的上升沿在时钟的上升沿和下降沿之间,则很容易产生一个毛刺;

1. 结构3是符合我们需要的,下降沿没有丢失或减少。所以DC在负沿触发的寄存器前插入的都是这类CG

 xb

1. 特殊情况分析:

1. 如果En信号的上升沿和下降沿都能保证在时钟的低电平区域,则与门结构可以作为门控来使用:

 xb

分析:

1. 如果EnClkSrc时钟域的寄存器负沿触发输出的信号,或者产生En的信号都是ClkSrc时钟域负沿触发产生的信号;
则通过合适的约束,可以做到En的沿都在时钟的低电平区域。

1. 如果从功能上可以确认,En的沿都在时钟的低电平区域,则也可行。

1. 这种结构不管是对上升沿触发的寄存器或者对下降沿触发的寄存器都是有效的。

 

1. 如果En的上升沿和下降沿都能保证在时钟的高电平区域,则或门结构可以当成门控来使用:

xb  

分析:

1. 如果EnClkSrc时钟域的寄存器正沿触发输出的信号,或者产生En的信号都是ClkSrc时钟域正沿触发产生的信号;
则通过合适的约束,可以做到En的沿都在时钟的高电平区域。

1. 如果从功能上可以确认,En的沿都在时钟的高电平区域,则也可行。

1. 这种结构不管是对上升沿触发的寄存器或者对下降沿触发的寄存器都是有效的。

1. 这种结构综合的时候一般会综合成:一些这种结构;这种结构面积会小一点15%左右;但功耗会稍大一点;所以需要具体情况具体分析;

 xb

1. 综合分析:

1. 使用Latch为基础的门控结构:

1. 优点:很明显,就是对En的沿的位置没有特殊要求。

1. 缺点:

1. 功耗收益:对寄存器数目比较少的门控效果就不明显,甚至会使功耗增加。比如3个或以下寄存器的门控效果就比较差。

1. 面积收益:而且由于Latch的面积比较大(相当于5个门左右,而寄存器则相当于7个门左右),所以整个门控结构面积差不多是一个寄存器大小。所以对于面积的收益上来说,Latch结构的门控用在门控多个寄存器(一般是4个或以上)才有收益。

1. 使用与门,或门的门控结构:

1. 优点:

1. 功耗收益:或门或与门的功耗显然比Latch要小得多。所以在驱动一个寄存器的门控都有收益。而且在时钟需要触发的时候不至于增加太多功耗。

1. 面积收益:一个或门或与门(相当于1.2Gate)的面积比一个MUX的面积(相当于2.2个Gate)要小,所以从面积收益上来说,即使是门控一bit寄存器都还有1个门左右的收益。

1. 1bit门控对比分析:

1. 不使用门控的情况:

xb

1. 时钟端输入电容(以towerdfcfq1为例)0.002pF

1. 时钟端反转短路功耗:0.00948pJ

1. 使用非与非门控的情况:

xb

a. 跟时钟有关的输入电容:反相器+与非门:0.003+0.001=0.004pF

a. 时钟端短路功耗:0.00198-0.000918+0.0013=0.0023pJ

1. 使用非或门情况:

xb

1. 四种门控情况功耗对比与面积对比:

En==0,时钟1MHz

xb

 

En==1,时钟1MHz

xb

 

从上面的表格我们可以看出

1.  The power consumption of the NOR gate is the smallest; but because the synthesis tool will synthesize this circuit into a NAND gate structure, if you want to use this structure, you need to use the OR gate in the library to instantiate, OR gate dont_touch ;
Note: Do not conduct regular meetings or dont_touch on the NOT gate in front of the OR gate ;

1. The  area is the smallest using NAND gates;

1.  Although the gate control using Latch has power consumption gain when En == 0 , the power consumption increases too much when En == 1 ; and the area is larger than that without gate control;

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